短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.     

一种含负压输出的多路PDP电源设计

本论文研究了一种含负压的多路输出电源,用于PDP显示器Y电极驱动电路中.该电源按照Y电极驱动的不同条件要求,利用反激式结构,采用主从形式,通过耦合在变压器中的不同匝比,实现三路不同输出.同时论文中还对单端反激式电源的工作原理及负压产生电路进行详细分析,研究了主输出回路对从输出回路的影响,并且通过相关测试进行验证.     

500V体硅N-LDMOS器件的研究

借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500 V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟.在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响.优化后该器件表面电场分布良好,通过Ⅰ-Ⅴ曲线可知,关态和开态耐压均超过500 V,开启电压在1.65 V左右,可以很好应用于各种高压功率集成芯片,具有很好的发展前景.     

浅谈固体继电器的接通和关断电压

比较电磁继电器与固体继电器的异同,对各自的相关参数和概念做了粗浅分析,探讨固体继电器接通电压和关断电压等参数的质疑与争议,对相关问题提出了看法和建议.     

基于MSP430高精度数字电流仪的设计

设计了一套基于MSP430超低功耗在线测量电流仪,可以精密测量小范围内的电流强度。分析了干扰噪声对测量的影响。在硬件电路设计中利用了二极管的门坎电压,在软件设计中引入了小波算法对信号进行降噪处理。给出了中心频率为50Hz,额定电流为200mA的小电流试验结果,试验结果和实际运行情况表明,在常用工频附近,其准确度可达0.5%,该技术已在强电磁场下应用,其性能稳定、可靠。     

基于DSP并联有源电力滤波器的研究

以并联有源电力滤波器为研究对象,并对其拓扑结构、补偿分量的检测算法、控制策略等问题做了较系统的研究,在该基础上介绍一种基于DSP的并联型有源电力滤波器的设计。通过仿真实验对有源电力滤波器数学模型、检测算法及控制策略的有效性和实用性进行了验证。结果表明所设计的有源滤波器具有良好的谐波补偿特性、自适应补偿能力。     

10kV/5kW机载发射机高压电源的设计

设计了10 kV/5 kW机载发射机高压电源,详细介绍了准同步防冲调压电路、逆变谐振电路、高性能控制电路和高压变压整流器等关键电路的设计。此高压电源具有可靠、稳定、高效、功率密度高等优点。仿真波形和实验结果证明了该高压电源的优越性和实用性,能满足大中功率机载雷达发射机的要求。     

像增强管老炼工艺研究与分析

像增强管老炼工艺可以尽早排除管子的早期失效和可能出现的图像缺陷,有利于管子尽快达到稳定工作状态,起到工艺稳定和筛选的双重作用.根据新近研制成功的低噪声双碱阴极像增强管的结构和性能特点,设计了管子的老炼工艺规范,并在操作暗箱内通过无光照和有光照两种工作模式,对整管进行老炼工艺研究;同时,也对管子出现的图像缺陷进行了研究与分析,并给出了指导性的解决办法.     

成-山电力架空线路改进措施研究

针对成—山线路的基本情况及隐患情况,详细介绍了线路改造和整治的具体措施,指出线路改造具有明显的社会和经济效益,并解决了线路运行不稳定的问题,保证了供电质量。     

空间电压矢量形成旋转磁场的原理分析

本文分析了空间电压法在不同开关状态下的电路联接情况,以及开关状态按一定规律变化时三相绕组电压的变化规律,得到每相电压的交变性和三相电压的对称性。笔者根据每相绕组电压变化规律,按电路暂态分析的方法分析出其电流及磁场的变化规律,分析了开关变化速度对旋转磁场强弱和磁场旋转速度的影响,论证了零矢量分割法插入减少磁场波动的原理和调整磁场旋转速度的原理。